Physique de la matière condensée
Réalisation et étude de nanostructures de GaInAs épitaxiées sur un substrat InP.
Nous nous sommes intéressé à la croissance et aux propriétés de couches contraintes de (Ga)InAs relaxées élastiquement, pour des compositions en gallium comprises entre 0 et
20 %, déposées sur un substrat InP orienté (001) et (113)B dans un bâti d'épitaxie par jets
moléculaires à sources gazeuses.
Institut National des Sciences Appliquées de Rennes
