Thèse à la une

Réalisation et étude de nanostructures de GaInAs épitaxiées sur un substrat InP.


Nous nous sommes intéressé à la croissance et aux propriétés de couches contraintes de (Ga)InAs relaxées élastiquement, pour des compositions en gallium comprises entre 0 et 20 %, déposées sur un substrat InP orienté (001) et (113)B dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses.

Sylvain FRECHENGUES
Institut National des Sciences Appliquées de Rennes