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Travaux publiés en Physique de la matière condensée

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Réalisation et étude de nanostructures de GaInAs épitaxiées sur un substrat InP.

Synthèse : [consulter]
Nous nous sommes intéressé à la croissance et aux propriétés de couches contraintes de (Ga)InAs relaxées élastiquement, pour des compositions en gallium comprises entre 0 et 20 %, déposées sur un substrat InP orienté (001) et (113)B dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses.
 Sylvain Frechengues
Institut National des Sciences Appliquées de Rennes Thèse publiée en 1998 - 0 pages



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